台积电N3E工艺良率进展超预期
《科创板日报》24日讯，台积据知名科技网站Tom‘s handware消息，艺良预期台积电N3E工艺良率超预期，率进N3E SRAM的展超良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的台积平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的艺良预期良率也为80%左右。据悉，率进N3E工艺为N3工艺的展超加强版，其性能和功耗表现更好，台积此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。艺良预期
率进相关文章：
栏目分类
最新文章
- 苹果CEO蒂姆・库克上周五逛夜店，还上DJ台亲自操控烟雾效果
- 11月房贷利率继续下跌，103个重点城市首套房贷利率为4.09%
- “打过四价还能再打吗？”九价HPV疫苗扩龄至9-45岁，多地喊话：先别急…
- 欧洲央行鹰派官员支持12月加息75基点 缩表即将启动？
- 长江口二号古船150年后被打捞出水 满载瓷器保存完整
- 江西省联社计划财务部原总经理刘桂花被双开：长期赌博，赌资巨大
- 重磅！央行、银保监会发声：支持个人住房贷款合理需求
- 财政部等发布第三批适用增值税政策的抗癌药品和罕见病药品清单 自2022年12月1日起执行
- 北京市地方金融监管局赵维久：打造一批体现首都科技创新特色的标杆上市公司
- 中国视角的固定收益ESG投资初探
热门文章